存儲產業迎“超級周期”，明年消費電子或承壓提價
在11月27日舉辦的MTS2026上，集邦咨詢（TrendForce）資深研究副總經理吳雅婷指出，當前存儲產業，尤其是在DRAM領域，正進入一個由AI與服務器需求主導的“超級周期”；集邦咨詢研究經理羅智文則直言，閃存市場在今年9月之后，也成為了驅動整個存儲市場行業的關鍵變量。
兩位分析師的判斷共同指向一個核心結論：存儲產業已告別傳統周期波動，進入由AI定義的新階段。
2026年DRAM均價將同比上漲58%
集邦咨詢資（TrendForce）深研究副總經理吳雅婷
據吳雅婷分析，AI與服務器對DRAM的消耗正以前所未有的速度增長。數據顯示，2024年AI與服務器消耗的DRAM占比為46%，2025年升至56%，2026年預計將達66%。“這不僅是HBM的產能擠占，LPDDR、Graphics DRAM等幾乎所有內存類別都面臨緊缺。”
尤其值得關注的是，AI應用正從訓練向推理擴展，導致LPDDR5等傳統移動內存也面臨爭奪。吳雅婷透露，英偉達等AI芯片廠商大量采購LPDDR5用于AI推理，其溢價高達50%-60%，這進一步擠壓了智能手機等消費電子產品的供應。
供需失衡直接反映在價格上。集邦咨詢預測，2026年DRAM均價將同比上漲58%，整體產值首次突破3000億美元，同比增長85%。更嚴峻的是，當前市場已進入“輪流停止報價、競價搶貨”的模式。“每一種DRAM產品都在缺貨，”吳雅婷表示，“輪流漲價的模式在2026年仍是主軸。”
產能困局：新廠建設滯后，供給增長有限
盡管價格持續上漲，但產能增長卻面臨現實制約。吳雅婷表示，三星P4L、SK海力士M15X等新產線最快也要到2027年下半年才能建成，之后還需至少兩個季度才能投產。
當前，市場的核心矛盾是顯著的供需失衡。“即便資本支出增加，2026年DRAM的供給增長也只有20%，而需求增長達26%，這關的供需缺口至少為6%，但在恐慌性采購情緒下，實際缺口可能會更為顯著。”更嚴峻的是，當前產業鏈庫存均低于健康水位，在“搶不到貨”的普遍焦慮下，買方的實際采購量會遠超其真實需求，進一步放大了供需缺口。
在閃存領域，情況同樣嚴峻。羅智文表示，各閃存原廠的資本支出“真的很保守”，主要投入制程升級而非擴產。除了鎧俠有新廠房計劃外，其他廠商均無大規模擴產計劃。2026年閃存產能增長主要依靠制程升級和QLC比例提升，預計產出增長21%，但仍難以滿足需求。
HDD短缺，QLC SSD救場，閃存市場迎轉折
集邦咨詢（TrendForce）研究經理羅智文
羅智文在演講中揭示了一個關鍵轉折點：2025年9月，因HDD短缺引發的連鎖反應徹底改變了閃存市場格局。
“HDD交期長達52周，而AI數據中心建設等不及，”羅智文解釋道，“云端業者被迫轉向大容量QLC企業級SSD來彌補存儲缺口。”據估算，2026年HDD市場存在150-200EB的缺口，而閃存僅能彌補約100EB，剩余缺口無法填補。
盡管QLC eSSD（企業級SSD）的單位成本比HDD高出約4倍，但羅智文算了一筆總賬：采用eSSD取代HDD，可通過節省電力、冷卻系統和機柜空間，降低數據中心總成本30%-40%。“這種情況下，4倍的價差已不重要。”
這一轉變導致閃存市場在2025年第四季度出現罕見暴漲，主流消費類閃存產品漲幅約20%到25%，晶圓價格漲幅高達95%-100%。“就算接受價格，也不一定能買到貨，”羅智文形容道，“這種情況將持續整個2026年。”
HBM領跑，HBF與AI SSD崛起
在AI存儲架構中，HBM、HBF和AI SSD正形成新的分層體系。
HBM作為“熱資料”處理核心，面臨容量瓶頸。羅智文指出，即使英偉達B300插滿HBM，容量也僅288GB，難以滿足大語言模型處理需求。加之HBM每GB成本高達15.3美元，遠高于QLC eSSD的每GB 0.065美元，因此催生了替代方案的需求。
他引入HBF（高帶寬閃存）來做關鍵補充。“HBF就像推車，比HBM的‘菜籃’容量更大，可裝更多東西放在大廚旁邊。”它采用3D NAND Flash與TSV技術，帶寬達到傳統NAND的數倍，在成本與性能間找到平衡點。
而AI SSD則扮演“二廚”角色，內置NPU預先處理數據，減輕GPU負擔。“從1萬條資料中先找出100條最相關的請GPU處理，大幅提升效率。”
三者形成互補：HBM處理最優先資料，HBF負責溫資料層，AI SSD過濾無關數據，傳統SSD與HDD仍負責冷資料存儲。
消費電子承壓，服務器需求主導
目前，存儲格局變化正深刻影響下游產業。
吳雅婷指出，智能手機廠商面臨兩難：要么漲價，要么降低單機內存容量。“2026年智能手機整機漲價已不可避免。”在此背景下，集邦咨詢已將2026年智能手機出貨增長率從原來的2%-3%下調至-2%，筆記本電腦出貨增長率也下調3%。
出貨量下調主要反映了內存價格上漲帶來的巨大成本壓力。同時，羅智文補充說，2025年因政策等因素導致出貨基數較高也是預期修正的原因之一。“包括智能手機、筆記本電腦在內的消費電子2025年的出貨基期太高了。今年上半年受國補政策、美國貿易戰等因素的影響，很多終端廠商在提前備貨生產，這拉高了今年的基期。”
相反，服務器需求會持續強勁。據羅智文介紹，2026年服務器閃存消耗將首次超過手機，明年服務器將消耗36.8%的閃存產能。
除此之外，吳雅婷透露，云服務廠商（CSP）為確保供應，與供應商的長期協議（LTA）談判已從2026年延伸至2027甚至2028年，甚至出現預先付款、資助供應商資本支出以鎖定產能的極端情況，這在過去從未發生。
“超級周期”的特性與供應商話語權
“超級周期”是集邦咨詢分析師針對本輪存儲行情的評價之一。與以往的任何一個周期不同，本輪周期不但持續時間久，而且程度也非常深。
吳雅婷甚至還說：“我研究存儲產業20年來‘從未見過如此瘋狂的情況’。”本輪行業上行并非短期波動，而是由AI與服務器需求結構性驅動的“超級周期”，其強度與持續性遠超以往。
與2016-2018年由通用服務器驅動的上行周期相比，本輪周期將“走得更遠”。在媒體群訪環節，吳雅婷透露給出以上判斷的原因在于：
買方屬性改變，從消費電子廠商變為資本雄厚的云服務巨頭，其對價格的敏感度低，首要目標是保障供應；第二，產品復雜度極高，HBM、各類DRAM等在有限產能中激烈競逐。在此背景下，市場已進入“競價模式”，供應商掌握了遠勝以往的話語權，買方必須接受更高的價格才能爭取到產能；她還指出，盡管供應商因獲利改善而增加資本支出，但由于新廠房建設周期漫長，對2026年乃至2027年的實際產能貢獻均非常有限。
除此之外，今年存儲市場還出現了DDR4與DDR5價格倒掛現象。在媒體群訪環節，集邦咨詢分析師許家源做了詳細闡釋。
他解釋說，這背后是深刻的產業變遷。一方面，所有主流供應商正將先進制程產能全力轉向利潤更高的DDR5及HBM等產品，導致DDR4的供應總量逐年銳減；另一方面，市場對DDR4的存量需求依然堅實。
此時，供應便轉向規模較小的原廠，而這些廠商采用的成熟制程成本結構相對更高，從而墊高了DDR4的市場價格。他認為，在整個DRAM供應緊張的格局下，這種倒掛現象至少在整個2026年都會持續存在。
結語：存儲產業的結構性質變
總而言之，存儲產業正經歷從“大宗商品”到“高復雜度產品”，從“消費電子驅動”到“AI與服務器驅動”的結構性質變。
吳雅婷給出結論：“我們正在見證存儲產業的結構性轉變。”而羅智文則認為，2026年只是開始，存儲產業還將在AI浪潮中繼續重塑。
在這個由AI定義的存儲新時代，產能、技術與價格的三重博弈才剛剛拉開序幕。
